参数资料

型号:BLV33

功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor

RoHS:

制造商:M/A-COM Technology Solutions

配置:Single

直流集电极/Base Gain hfe Min:40

最大工作频率:30 MHz

集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:20 A

最大直流电集电极电流:

功率耗散:250 W

封装 / 箱体:Case 211-11

封装:Tray

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